Technology Application

技术应用

激光LIA技术

Laser LIA technology


应用原理 / Principle


Light-Induced Annealing(LIA): α-Si:H/c-Si的界面存在大量的界面态(Si悬挂键),研究发现,在光照的情况下,对此结构进行加热退火,可以有效减少界面态(Si悬挂键)密度,降低界面复合,从而提高非晶硅的钝化效果。这个现象称之为光诱导退火,简称LIA;HJT电池结构中,存在α-Si:H /c-Si的界面;在光照情况下,对HJT电池进行加热退火,发现电池转换效率明显上升,主要体现在Voc和FF的提升上。








工艺简介

Process Introduction

激光LIA技术:通过超高功率激光照射HJT电池片,产生大量光生载流子改变α-Si:H中氢的价态,使得α-Si:H/c-Si界面复合降低,因此能提升HIT电池的Voc;并且能够改善TCO层导电性能,降低Ag/TCO的接触电阻,从而提高HJT电池的FF。





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