Technology Application

技术应用

激光硼掺杂技术

Laser boron doping technology


应用原理 / Principle


激光硼掺杂技术是在现有PERC电池技术基础上,通过沉积或印刷硼掺杂源,在激光背面开槽过程中,同步形成激光重掺杂区 P++层。其中激光掺杂形成的P++层,可以有效的降低背面接触复合速率,同时降低背面硅铝接触电阻,提升太阳电池开路电压Voc和填充因子FF,提升电池转换效率。




工艺简介

Process Introduction



激光硼掺杂技术是PERC电池技术未来升级的方向之一。采用CVD沉积或者印刷方式,在PERC蓝膜片背面形成一层硼掺杂源,通过激光开槽过程中的热效应,将硼元素同步掺杂进硅衬底中,形成P++层,即重掺杂区。一方面,重掺杂区形成P++P高低结,形成场钝化效应,另一方面,可有效降低铝硅接触电阻,从这两方面提升Voc 和FF,进而提高太阳电池转换效率。



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